Miniaturowe przetwornice DC/DC w technologii SiP firmy Mornsun – kolejne przetwornice serii R4

Rodzina przetwornic 1 watowych DC/DC firmy MORNSUN serii A / B / E / F_T-1W zdobyła duży udział w rynku na całym świecie dzięki zaawansowanej konstrukcji, dobrej wydajności, niezawodnemu procesowi produkcji, konkurencyjnej cenie itp. W oparciu o oczekiwania przemysłu, że urządzenia przenośne i IoT potrzebują elementów zasilania DC/DC oferujących korzyści pod względem wielkości, wydajności, niezawodności i kosztów, firma Mornsun wprowadziła na rynek nową generację przetwornic (serię R4) o stałym napięciu wejściowym z przełomową technologią pakowania SiP (System in Package), technologią pozwalającą na zmniejszenie wymiarów o 80%, co oznacza oszczędność miejsca na PCB i kosztów dla klienta. W porównaniu z poprzednią generacją (seria R3), najnowsza technologia SiP nie tylko zmniejszyła wymiary produktu, ale także pozwoliła osiągnąć lepszą wydajność.

Wymiary (LxWxH) przetwornic zmniejszyły się o 80%, a miejsce zajmowane na PCB (LxW) o ponad 50%. Generacja R4 to kompleksowe rozwiązanie pozwalające na rozwiązanie problemów związanych z wymiarami, wyglądem, opakowaniem do montażu powierzchniowego, wydajnością i niezawodnością, ponieważ integruje w sobie technologie obwodów, procesów i  materiałów.

Technologia SiP – niższe koszty dla klienta

Dzięki badaniom wiemy, że ponad 90% elementów na płytce drukowanej jest montowanych za pomocą lutowania rozpływowego SMD, jednak niektóre przetwornice dostępne na rynku muszą być instalowane na płytkach PCB przez lutowanie na fali. Komplikuje to proces wytwarzania produktu przez klienta (konieczność użycia dwóch procesów – lutowania rozpływowego SMD i lutowania na fali) – wydłuża czas realizacji, zwiększa koszty produkcji i ryzyko pojawienia się problemów związanych z jakością. Przetwornice generacji R4 są montowane na płytce poprzez lutowanie rozpływowe SMD bez dodatkowego procesu lutowania na fali, co upraszcza proces produkcyjny i zmniejsza koszty produkcji.

Przetwornice serii R4:

1. Redukcja wymiarów o ~80%, redukcja powierzchni na PCB o ponad 50%, grubość 3,1 mm
2. Pakowanie Micro-SMD
3. Certyfikat AEC-Q100
4. Zakres temperatury pracy: -40℃ ~ 125℃
5. Spełnia poziom ESD 8kV (kontakt)
6. Zabezpieczenie przeciwzwarciowe
7. Obciążenie pojemnościowe: 2400uF
8. Pojemność izolacji: 8pF
9. Napięcie testowe izolacji we/wy: 3000 VDC
10. Spełniają normy IEC62368, UL62368, EN62368

–

B0505MT-1WR4: